IGBT RJH60F5 60F5 600V 80A Kênh N


- Điện áp tối đa Vces: 600V.
- Điện áp tối đa Vges: ±30 V.
- Dòng điện tối đa Ic: 80A.
- Công suất cực đại: 260.4W.
- Dải nhiệt độ: –55 to 150°C.
- Trở kháng nhiệt của diode: 2.0 °C/W.
- Trở kháng nhiệt của IGBT: 0.48 °C/W.
- Kiểu chân: T0 - 247.

- Sử dụng để học tập.
- Ứng dụng nhiều trong các mạch điện tử.
- Sử dụng như một phần tử khuếch đại hoặc một khóa điện tử.
- Khuếch đại, đóng - cắt, điều chỉnh điện áp, điều khiển tín hiệu và tạo dao động.


Nguồn: Bùi Hữu Uyên.